2015-03-09 10:52:43 來(lái)源： 中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)
0805藍(lán)光，0603紅光。OFweek半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 芯片是LED最關(guān)鍵的原物料，其質(zhì)量的好壞，直接決定了LED的性能。特別是用于汽車(chē)或固態(tài)照明設(shè)備的高端LED，絕對(duì)不容許出現(xiàn)缺陷，也就是說(shuō)此類(lèi)設(shè)備的可靠性必須非常高。然而，LED封裝廠由于缺乏芯片來(lái)料檢驗(yàn)的經(jīng)驗(yàn)和設(shè)備，通常不對(duì)芯片進(jìn)行來(lái)料檢驗(yàn)，在購(gòu)得不合格的芯片后，往往只能吃啞巴虧。金鑒檢測(cè)在累積了大量LED失效分析案例的基礎(chǔ)上，推出LED芯片來(lái)料檢驗(yàn)的業(yè)務(wù)，通過(guò)運(yùn)用高端分析儀器鑒定芯片的優(yōu)劣情況。這一檢測(cè)服務(wù)能夠作為L(zhǎng)ED封裝廠/芯片代理廠來(lái)料檢驗(yàn)的補(bǔ)充，防止不良品芯片入庫(kù)，避免因芯片質(zhì)量問(wèn)題造成燈珠的整體損失。
檢測(cè)項(xiàng)目：
一、芯片各項(xiàng)性能參數(shù)測(cè)試
Wd(主波長(zhǎng))、Iv(亮度)、Vf(順向電壓)、Ir(漏電)、ESD(抗靜電能力)等芯片的光電性能測(cè)試，金鑒作為第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)能夠鑒定供應(yīng)商提供的產(chǎn)品數(shù)據(jù)是否達(dá)標(biāo)。
二、芯片缺陷查找
檢測(cè)內(nèi)容：
1.芯片尺寸測(cè)量，芯片尺寸及電極大小是否符合要求，電極圖案是否完整。
2.芯片是否存在焊點(diǎn)污染、焊點(diǎn)破損、晶粒破損、晶粒切割大小不一、晶粒切割傾斜等缺陷。
LED芯片的受損會(huì)直接導(dǎo)致LED失效，因此提高LED芯片的可靠性至關(guān)重要。蒸鍍過(guò)程中有時(shí)需用彈簧夾固定芯片，因此會(huì)產(chǎn)生夾痕。黃光作業(yè)若顯影不完全及光罩有破洞會(huì)使發(fā)光區(qū)有殘余多出的金屬。晶粒在前段制程中，各項(xiàng)制程如清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨等作業(yè)都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會(huì)有晶粒電極刮傷的情況發(fā)生。
芯片電極對(duì)焊點(diǎn)的影響：芯片電極本身蒸鍍不牢靠，導(dǎo)致焊線后電極脫落或損傷；芯片電極本身可焊性差，會(huì)導(dǎo)致焊球虛焊；芯片存儲(chǔ)不當(dāng)會(huì)導(dǎo)致電極表面氧化，表面玷污等等，鍵合表面的輕微污染都可能影響兩者間的金屬原子擴(kuò)散，造成失效或虛焊。
3.芯片外延區(qū)的缺陷查找
LED外延片在高溫長(zhǎng)晶過(guò)程中，襯底、MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)殘留的沉積物、外圍氣體和Mo源都會(huì)引入雜質(zhì)，這些雜質(zhì)會(huì)滲入磊晶層，阻止氮化鎵晶體成核，形成各種各樣的外延缺陷，最終在外延層表面形成微小坑洞，這些也會(huì)嚴(yán)重影響外延片薄膜材料的晶體質(zhì)量和性能。金鑒檢測(cè)研發(fā)出快速鑒定芯片外延區(qū)缺陷的檢測(cè)方法，能夠低成本、快速地檢測(cè)出芯片外延層80%的外延缺陷，幫助LED客戶選擇高質(zhì)量的外延片、芯片。
4.芯片工藝和清潔度觀察
電極加工是制作LED芯片的關(guān)鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨，會(huì)接觸到很多化學(xué)清洗劑，如果芯片清洗不夠干凈，會(huì)使有害化學(xué)物殘余。這些有害化學(xué)物會(huì)在LED通電時(shí)，與電極發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致死燈、光衰、暗亮、發(fā)黑等現(xiàn)象出現(xiàn)。因此，鑒定芯片化學(xué)物殘留對(duì)LED封裝廠來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。
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